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文献
J-GLOBAL ID：200902242795186722
整理番号：05A0793021
低速高電荷Xeイオンを照射された水素終端のSi(111)1×1表面からの1を超えるプロトンスパッタリング
Toward over unity proton sputtering yields from a hydrogen-terminated Si(111) 1×1 surface irradiated by slow highly charged Xe ions
TAKAHASHI Satoshi
(Univ. Electro-Communications, Tokyo, JPN)
,
TONA Masahide
(Univ. Electro-Communications, Tokyo, JPN)
,
NAGATA Kazuo
(Univ. Electro-Communications, Tokyo, JPN)
,
NAKAMURA Nobuyuki
(Univ. Electro-Communications, Tokyo, JPN)
,
YOSHIYASU Nobuo
(Univ. Electro-Communications, Tokyo, JPN)
,
YAMADA Chikashi
(Univ. Electro-Communications, Tokyo, JPN)
,
OHTANI Shunsuke
(Univ. Electro-Communications, Tokyo, JPN)
,
SAKURAI Makoto
(Kobe Univ., Hyogo, JPN)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 87 号： 6 ページ： 063111.1-063111.3 発行年： 2005年08月08日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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