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文献
J-GLOBAL ID：200902242847434380
整理番号：09A0404823
45nm高K金属ゲートCMOS技術のダイナミック安定性強調と漏れ低減をした153Mb-SRAM設計
A 153Mb-SRAM Design with Dynamic Stability Enhancement and Leakage Reduction in 45nm High-κ Metal-Gate CMOS Technology
HAMZAOGLU Fatih
(Intel, OR)
,
ZHANG Kevin
(Intel, OR)
,
WANG Yih
(Intel, OR)
,
AHN Hong Jo
(Intel, OR)
,
BHATTACHARYA Uddalak
(Intel, OR)
,
CHEN Zhanping
(Intel, OR)
,
NG Yong-Gee
(Intel, OR)
,
PAVLOV Andrei
(Intel, OR)
,
SMITS Ken
(Intel, CA)
,
BOHR Mark
(Intel, OR)
資料名：
Digest of Technical Papers. IEEE International Solid-State Circuits Conference
(Digest of Technical Papers. IEEE International Solid-State Circuits Conference)
巻： 2008 Vol.1 ページ： 376-377 発行年： 2008年
JST資料番号： D0753A ISSN： 0193-6530 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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