文献
J-GLOBAL ID:200902242848467508
整理番号:04A0487716
Cu/低k相互接続のエレクトロマイグレーション信頼性の改善に対する被覆層の影響
EFFECTS of OVERLAYERS on ELECTROMIGRATION RELIABILITY IMPROVEMENT for Cu/LOW K INTERCONNECTS
著者 (9件):
HU C-K
(IBM T.J. Watson Res. Center, NY)
,
CANAPERI D
(IBM T.J. Watson Res. Center, NY)
,
CHEN S T
(IBM Microelectronics Div., NY)
,
GIGNAC L M
(IBM T.J. Watson Res. Center, NY)
,
HERBST B
(IBM T.J. Watson Res. Center, NY)
,
KALDOR S
(IBM Microelectronics Div., NY)
,
KRISHNAN M
(IBM T.J. Watson Res. Center, NY)
,
RESTAINO D
(IBM Microelectronics Div., NY)
,
SIMON A
(IBM Microelectronics Div., NY)
資料名:
Annual Proceedings. IEEE International Reliability Physics Symposium
(Annual Proceedings. IEEE International Reliability Physics Symposium)
巻:
42nd
ページ:
222-228
発行年:
2004年
JST資料番号:
A0631A
ISSN:
1541-7026
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)