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文献
J-GLOBAL ID：200902242876630929
整理番号：03A0549715
SiF4を用いた高周波容量結合プラズマによるSi,SiF及びSiF2ラジカルとSiF4分子の測定
Measurement of Si, SiF, and SiF2 radicals and SiF4 molecule using very high frequency capacitively coupled plasma employing SiF4
OHTA T
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
HARA K
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
ISHIDA T
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
HORI M
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
GOTO T
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
ITO M
(Wakayama Univ., Wakayama, JPN)
,
KAWAKAMI S
(Tokyo Electron Tohoku Ltd., Kanagawa, JPN)
,
ISHII N
(Tokyo Electron Ltd., Osaka, JPN)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 94 号： 3 ページ： 1428-1435 発行年： 2003年08月01日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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