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文献
J-GLOBAL ID：200902242989280916
整理番号：05A0535173
50nmダイナミックランダムアクセスメモリ用のRu/結晶性Ta2O5/RuキャパシターにおけるRu電極とTiNバリアーの間の接触抵抗の改良
Improvement of Contact Resistance between Ru Electrode and TiN Barrier in Ru/Crystalline-Ta2O5/Ru Capacitor for 50nm Dynamic Random Access Memory
LIM HanJin
(Samsung Electronics Co. Ltd., Kyungki-Do, KOR)
,
CHUNG Suk-Jin
(Samsung Electronics Co. Ltd., Kyungki-Do, KOR)
,
LEE Kwang Hee
(Samsung Electronics Co. Ltd., Kyungki-Do, KOR)
,
LEE Jinil
(Samsung Electronics Co. Ltd., Kyungki-Do, KOR)
,
KIM Jin Yong
(Samsung Electronics Co. Ltd., Kyungki-Do, KOR)
,
YOO Cha-Young
(Samsung Electronics Co. Ltd., Kyungki-Do, KOR)
,
KIM Sung-Tae
(Samsung Electronics Co. Ltd., Kyungki-Do, KOR)
,
CHUNG U-In
(Samsung Electronics Co. Ltd., Kyungki-Do, KOR)
,
MOON Joo-Tae
(Samsung Electronics Co. Ltd., Kyungki-Do, KOR)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 44 号： 4B ページ： 2225-2229 発行年： 2005年04月30日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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