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文献
J-GLOBAL ID：200902243209615950
整理番号：06A0173283
パワーエレクトロニクス用のノーマリーオフ,高電圧AlGaN/GaN・HEMTに対する埋込みゲート構造アプローチ
Recessed-Gate Structure Approach Toward Normally Off High-Voltage AlGaN/GaN HEMT for Power Electronics Applications
SAITO Wataru
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
,
TAKADA Yoshiharu
(Toshiba Res. and Dev. Center, Kawasaki, JPN)
,
KURAGUCHI Masahiko
(Toshiba Res. and Dev. Center, Kawasaki, JPN)
,
TSUDA Kunio
(Toshiba Res. and Dev. Center, Kawasaki, JPN)
,
OMURA Ichiro
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
資料名：
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 53 号： 2 ページ： 356-362 発行年： 2006年02月
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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