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文献
J-GLOBAL ID：200902243303669614
整理番号：07A0106183
歪んだSi1-xGex/Si(100)上にPH3およびSi2H6を超清浄低圧CVD法で交互に表面反応させることによってPの原子層をドープしたSi薄膜のエピタキシャル成長
Epitaxial growth of P atomic layer doped Si film by alternate surface reactions of PH3 and Si2H6 on strained Si1-xGex/Si(100) in ultraclean low-pressure CVD
CHIBA Yohei
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
SAKURABA Masao
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
MUROTA Junichi
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
資料名：
Semiconductor Science and Technology
(Semiconductor Science and Technology)
巻： 22 号： 1 ページ： S118-S122 発行年： 2007年01月
JST資料番号： E0503B ISSN： 0268-1242 CODEN： SSTEET 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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