文献
J-GLOBAL ID:200902243306680074
整理番号:08A0476764
ゲルマニウムオン絶縁体におけるバルクキャリア移動度を抽出する新しい方法
A New Method to Extract Bulk Carrier Mobility in Germanium-on-Insulator
著者 (2件):
JIN Hai-Yan
(Univ. California, CA, USA)
,
CHEUNG Nathan W.
(Univ. California, CA, USA)
資料名:
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻:
55
号:
5
ページ:
1250-1254
発行年:
2008年05月
JST資料番号:
C0222A
ISSN:
0018-9383
CODEN:
IETDAI
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)