文献
J-GLOBAL ID:200902243428898321
整理番号:06A0389048
Si基板上に形成した多結晶Bi4-xLaxTi3O12薄膜の容量-電圧(C-V)ヒステリシス特性と界面状態の評価
Capacitance-Voltage Hysteresis of Polycrystalline Bi4-xLaxTi3O12 Thin Films formed on Si Substrates and Analysis of Interface States
著者 (3件):
香野淳
(福岡大 理)
,
西川武蔵
(福岡大 理)
,
泊博幸
(福岡大 理)
資料名:
電子情報通信学会技術研究報告
(IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻:
106
号:
6(SDM2006 1-19)
ページ:
51-56
発行年:
2006年04月10日
JST資料番号:
S0532B
ISSN:
0913-5685
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
日本語 (JA)