文献
J-GLOBAL ID:200902243438891970
整理番号:06A0102945
ラジカル反応に基づく半導体製作によるシリコン技術の新時代
New era of silicon technologies due to radical reaction based semiconductor manufacturing
著者 (3件):
OHMI Tadahiro
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
HIRAYAMA Masaki
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
TERAMOTO Akinobu
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
資料名:
Journal of Physics. D. Applied Physics
(Journal of Physics. D. Applied Physics)
巻:
39
号:
1
ページ:
R1-R17
発行年:
2006年01月07日
JST資料番号:
B0092B
ISSN:
0022-3727
CODEN:
JPAPBE
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
文献レビュー
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)