文献
J-GLOBAL ID:200902243445666469
整理番号:04A0477496
GaNおよびAlGaN Schottky界面における漏れ機構
Leakage mechanism in GaN and AlGaN Schottky interfaces
著者 (3件):
HASHIZUME T
(Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)
,
KOTANI J
(Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)
,
HASEGAWA H
(Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
84
号:
24
ページ:
4884-4886
発行年:
2004年06月14日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)