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文献
J-GLOBAL ID：200902243482977016
整理番号：08A0781491
p型酸化物半導体SnOを用いたpチャンネル薄膜トランジスタ
p-channel thin-film transistor using p-type oxide semiconductor, SnO
OGO Yoichi
(Materials and Structures Lab., Tokyo Inst. of Technol., 4259 Nagatsuta, Midori-ku, Yokohama 226-8503, JPN)
,
HIRAMATSU Hidenori
(ERATO-SORST, JST, Frontier Res. Center, Tokyo Inst. of Technol., 4259 Nagatsuta, Midori-ku, Yokohama 226-8503, JPN)
,
NOMURA Kenji
(ERATO-SORST, JST, Frontier Res. Center, Tokyo Inst. of Technol., 4259 Nagatsuta, Midori-ku, Yokohama 226-8503, JPN)
,
YANAGI Hiroshi
(Materials and Structures Lab., Tokyo Inst. of Technol., 4259 Nagatsuta, Midori-ku, Yokohama 226-8503, JPN)
,
KAMIYA Toshio
(Materials and Structures Lab., Tokyo Inst. of Technol., 4259 Nagatsuta, Midori-ku, Yokohama 226-8503, JPN)
,
HIRANO Masahiro
(ERATO-SORST, JST, Frontier Res. Center, Tokyo Inst. of Technol., 4259 Nagatsuta, Midori-ku, Yokohama 226-8503, JPN)
,
HOSONO Hideo
(Materials and Structures Lab., Tokyo Inst. of Technol., 4259 Nagatsuta, Midori-ku, Yokohama 226-8503, JPN)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 93 号： 3 ページ： 032113 発行年： 2008年07月21日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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