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文献
J-GLOBAL ID：200902243690859477
整理番号：03A0509461
Siアナログ回路応用のためのHfO2金属-絶縁体-金属キャパシタの物理的および電気的特性評価
Physical and electrical characterization of HfO2 metal-insulator-metal capacitors for Si analog circuit applications
HU H
(National Univ. Singapore, SGP)
,
ZHU C
(National Univ. Singapore, SGP)
,
LU Y F
(National Univ. Singapore, SGP)
,
WU Y H
(National Univ. Singapore, SGP)
,
LIEW T
(National Univ. Singapore, SGP)
,
LI M F
(National Univ. Singapore, SGP)
,
CHO B J
(National Univ. Singapore, SGP)
,
CHOI W K
(National Univ. Singapore, SGP)
,
YAKOVLEV N
(National Univ. Singapore, SGP)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 94 号： 1 ページ： 551-557 発行年： 2003年07月01日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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