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文献
J-GLOBAL ID：200902243786468177
整理番号：04A0788102
窒化Ge(100)基板上に原子層堆積により成長させたHfO2の界面特性
Interfacial characteristics of HfO2 grown on nitrided Ge(100) substrates by atomic-layer deposition
KIM H
(Stanford Univ., California)
,
MCINTYRE P C
(Stanford Univ., California)
,
CHUI C O
(Stanford Univ., California)
,
SARASWAT K C
(Stanford Univ., California)
,
CHO M-H
(Korea Res. Inst. Standards and Sci., Daejon, KOR)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 85 号： 14 ページ： 2902-2904 発行年： 2004年10月04日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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