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文献
J-GLOBAL ID：200902243814753559
整理番号：05A0154223
超高性能用途のための金属ゲート電極を持つサブ30nm,マルチブリッジチャネルMOSFET(MBCFET)
Sub 30nm Multi-Bridge-Channel MOSFET (MBCFET) with Metal Gate Electrode for Ultra High Performance Application
YOON E-J
(Samsung Electronics, Kyoungi-Do, KOR)
,
LEE S-Y
(Samsung Electronics, Kyoungi-Do, KOR)
,
KIM S-M
(Samsung Electronics, Kyoungi-Do, KOR)
,
KIM M-S
(Samsung Electronics, Kyoungi-Do, KOR)
,
KIM S H
(Samsung Electronics, Kyoungi-Do, KOR)
,
MING L
(Samsung Electronics, Kyoungi-Do, KOR)
,
SUK S
(Samsung Electronics, Kyoungi-Do, KOR)
,
YEO K
(Samsung Electronics, Kyoungi-Do, KOR)
,
OH C W
(Samsung Electronics, Kyoungi-Do, KOR)
資料名：
Technical Digest. International Electron Devices Meeting
(Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 2004 ページ： 627-630 発行年： 2004年
JST資料番号： C0829B ISSN： 0163-1918 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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