文献
J-GLOBAL ID:200902244151118532
整理番号:04A0417277
反応性固相エピタクシーによるInGaO3(ZnO)5の単結晶薄膜の成長機構
Growth mechanism for single-crystalline thin film of InGaO3(ZnO)5 by reactive solid-phase epitaxy
著者 (9件):
NOMURA K
(JST-ERATO)
,
OHTA H
(JST-ERATO)
,
UEDA K
(JST-ERATO)
,
KAMIYA T
(JST-ERATO)
,
ORITA M
(JST-ERATO)
,
SUZUKI T
(Japan Fine Ceramics Center, Nagoya, JPN)
,
HONJYO C
(Japan Fine Ceramics Center, Nagoya, JPN)
,
IKUHARA Y
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
HOSONO H
(Tokyo Inst. Technol., JPN)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
95
号:
10
ページ:
5532-5539
発行年:
2004年05月15日
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)