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文献
J-GLOBAL ID：200902244185669252
整理番号：03A0393101
Si3N4ゲート絶縁体を有するAlGaN/GaNヘテロ構造金属-絶縁体-半導体高電子移動度トランジスタ
AlGaN/GaN Heterostructure Metal-Insulator-Semiconductor High-Electron-Mobility Transistors with Si3N4 Gate Insulator
OCHIAI M
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
AKITA M
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
OHNO Y
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
KISHIMOTO S
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
MAEZAWA K
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
MIZUTANI T
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 42 号： 4B ページ： 2278-2280 発行年： 2003年04月30日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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