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文献
J-GLOBAL ID：200902244287925024
整理番号：08A0833491
極微細TaCx/HfSiONデバイスの性能および歪み効果に対するTaCx組成の影響
Impact of Tantalum Composition in TaCx/HfSiON Gate Stack on Device Performance of Aggressively Scaled CMOS Devices with SMT and Strained CESL
後藤正和
(東芝セミコンダクター社)
,
辰村光介
(東芝 研開セ)
,
川中繁
(東芝セミコンダクター社)
,
中嶋一明
(東芝セミコンダクター社)
,
市原玲華
(東芝 研開セ)
,
吉水康人
(東芝セミコンダクター社)
,
小野田裕之
(東芝セミコンダクター社)
,
長友浩二
(東芝セミコンダクター社)
,
佐々木俊行
(東芝セミコンダクター社)
,
福島崇
(東芝セミコンダクター社)
,
野町映子
(東芝セミコンダクター社)
,
犬宮誠治
(東芝セミコンダクター社)
,
青山知憲
(東芝セミコンダクター社)
,
小山正人
(東芝 研開セ)
,
豊島義明
(東芝セミコンダクター社)
資料名：
電子情報通信学会技術研究報告
(IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 108 号： 140(ICD2008 38-58) ページ： 109-114 発行年： 2008年07月10日
JST資料番号： S0532B ISSN： 0913-5685 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 日本語 (JA)
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