前のページに戻る
この文献は全文を取り寄せることができます
JDreamⅢ複写サービスから文献全文の複写（冊子体のコピー）をお申込みできます。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
既に、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDをお持ちの方
JDreamⅢ複写サービスのご利用が初めての方
取り寄せる文献のタイトルと詳細
文献
J-GLOBAL ID：200902244611202642
整理番号：07A0739497
横方向ピッチ幅縮小によるオン抵抗を減少させた15.5mΩcm2-680V超接合MOSFET
A 15.5mΩcm2-680V Superjunction MOSFET Reduced On-Resistance by Lateral Pitch Narrowing
SAITO Wataru
(Toshiba Corp. Semiconductor Co., Kawasaki, JPN)
,
OMURA Ichiro
(Toshiba Corp. Semiconductor Co., Kawasaki, JPN)
,
AIDA Satoshi
(Toshiba Corp. Semiconductor Co., Kawasaki, JPN)
,
KODUKI Shigeo
(Toshiba Corp. Semiconductor Co., Kawasaki, JPN)
,
IZUMISAWA Masaru
(Toshiba Corp. Semiconductor Co., Kawasaki, JPN)
,
YOSHIOKA Hironori
(Toshiba Corp. Semiconductor Co., Kawasaki, JPN)
,
OKUMURA Hideki
(Toshiba Corp. Semiconductor Co., Kawasaki, JPN)
,
YAMAGUCHI Masakazu
(Toshiba Corp. Semiconductor Co., Kawasaki, JPN)
,
OGURA Tsuneo
(Toshiba Corp. Semiconductor Co., Kawasaki, JPN)
資料名：
Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs
(Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs)
巻： 18th ページ： 293-296 発行年： 2006年
JST資料番号： W1300A ISSN： 1943-653X 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
JDreamⅢ複写サービスとは
JDreamⅢ複写サービスは、学術文献の全文を複写（コピー）して取り寄せできる有料サービスです。インターネットに公開されていない文献や、図書館に収録されていない文献の全文を、オンラインで取り寄せることができます。J-GLOBALの整理番号にも対応しているので、申し込みも簡単にできます。全文の複写（コピー）は郵送またはFAXでお送りします
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。