文献
J-GLOBAL ID:200902244650680055
整理番号:06A0198281
HfO2/TiNゲート積層を持ったSiGe表面チャネルpMOSFETの製造と移動度特性
Fabrication and Mobility Characteristics of SiGe Surface Channel pMOSFETs With a HfO2/TiN Gate Stack
著者 (12件):
WEBER Olivier
(Commissariat a l’Energie Atomique (CEA) Grenoble, Grenoble, FRA)
,
WEBER Olivier
(UJF, Grenoble, FRA)
,
DAMLENCOURT Jean-Francois
(Commissariat a l’Energie Atomique (CEA) Grenoble, Grenoble, FRA)
,
ANDRIEU Francois
(Commissariat a l’Energie Atomique (CEA) Grenoble, Grenoble, FRA)
,
DUCROQUET Frederique
(Commissariat a l’Energie Atomique (CEA) Grenoble, Grenoble, FRA)
,
DUCROQUET Frederique
(UJF, Grenoble, FRA)
,
ERNST Thomas
(Commissariat a l’Energie Atomique (CEA) Grenoble, Grenoble, FRA)
,
HARTMANN Jean-Michel
(Commissariat a l’Energie Atomique (CEA) Grenoble, Grenoble, FRA)
,
PAPON Anne-Marie
(Commissariat a l’Energie Atomique (CEA) Grenoble, Grenoble, FRA)
,
RENAULT Olivier
(Commissariat a l’Energie Atomique (CEA) Grenoble, Grenoble, FRA)
,
GUILLAUMOT Bernard
(STMicroelectronics, Grenoble, FRA)
,
DELEONIBUS Simon
(Commissariat a l’Energie Atomique (CEA) Grenoble, Grenoble, FRA)
資料名:
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻:
53
号:
3
ページ:
449-456
発行年:
2006年03月
JST資料番号:
C0222A
ISSN:
0018-9383
CODEN:
IETDAI
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)