文献
J-GLOBAL ID:200902244663735576
整理番号:04A0304646
多孔質シリコンにおけるバンド端の理論的研究
Theoretical study of band edges in porous silicon
著者 (3件):
YORIKAWA H
(Utsunomiya Univ., Utsunomiya, JPN)
,
SATO T
(Utsunomiya Univ., Utsunomiya, JPN)
,
MURAMATSU S
(Utsunomiya Univ., Utsunomiya, JPN)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
95
号:
7
ページ:
3569-3572
発行年:
2004年04月01日
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)