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文献
J-GLOBAL ID:200902244731483882   整理番号:09A0797106

RCu2Si2(R:希土類元素)の純良単結晶育成と4f電子状態の系統的研究

Single Crystal Growth and Electronic States in RCu2Sb2
著者 (18件):
DUNG Nguyen Duc
(大阪大 大学院理学研究科)
大貫惇睦
(大阪大 大学院理学研究科)
武田勇司
(大阪大 大学院理学研究科)
太田有基
(大阪大 大学院理学研究科)
DUNG Nguyen Duc
(日本原子力研究開発機構 先端基礎研究セ)
大貫惇睦
(日本原子力研究開発機構 先端基礎研究セ)
石倉達朗
(大阪大 大学院理学研究科)
杉山清寛
(大阪大 大学院理学研究科)
摂待力生
(大阪大 大学院理学研究科)
松田達磨
(日本原子力研究開発機構 先端基礎研究セ)
芳賀芳範
(日本原子力研究開発機構 先端基礎研究セ)
竹内徹也
(大阪大 低温セ)
播磨尚朝
(神戸大 大学院理学研究科)
後藤沙織
(新潟大 大学院自然科学研究科)
三本啓輔
(新潟大 大学院自然科学研究科)
赤津光洋
(新潟大 大学院自然科学研究科)
根本祐一
(新潟大 大学院自然科学研究科)
後藤輝孝
(新潟大 大学院自然科学研究科)

資料名:
固体物理  (Solid State Physics)

巻: 44  号:ページ: 433-449  発行年: 2009年07月15日 
JST資料番号: F0158B  ISSN: 0454-4544  CODEN: KOTBA2  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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