文献
J-GLOBAL ID:200902244829184425
整理番号:05A0297439
反応性堆積エピタクシーによるSi(001)上のCoSi2の成長
Growth of CoSi2 on Si(001) by reactive deposition epitaxy
著者 (6件):
LIM C W
(Univ. Illinois, Illinois)
,
SHIN C-S
(Univ. Illinois, Illinois)
,
GALL D
(Univ. Illinois, Illinois)
,
ZUO J M
(Univ. Illinois, Illinois)
,
PETROV I
(Univ. Illinois, Illinois)
,
GREENE J E
(Univ. Illinois, Illinois)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
97
号:
4
ページ:
044909.1-044909.6
発行年:
2005年02月15日
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)