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文献
J-GLOBAL ID：200902245018520995
整理番号：04A0664073
独立GaN基板上の,9.4W/mmパワー密度を有するAlGaN-GaN HEMT
9.4-W/mm Power Density AlGaN-GaN HEMTs on Free-Standing GaN Substrates
CHU K K
(BAE Systems, NH, USA)
,
CHAO P C
(BAE Systems, NH, USA)
,
PIZZELLA M T
(BAE Systems, NH, USA)
,
ACTIS R
(BAE Systems, NH, USA)
,
MEHARRY D E
(BAE Systems, NH, USA)
,
NICHOLS K B
(BAE Systems, NH, USA)
,
VAUDO R P
(Cree, Inc., CT, USA)
,
XU X
(Cree, Inc., CT, USA)
,
FLYNN J S
(Cree, Inc., CT, USA)
資料名：
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻： 25 号： 9 ページ： 596-598 発行年： 2004年09月
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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