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文献
J-GLOBAL ID：200902245052075380
整理番号：06A0474975
ナノスケール線幅の多結晶Cu相互接続の電気抵抗率
Electrical resistivity of polycrystalline Cu interconnects with nano-scale linewidth
SHIMADA Masahiro
(Dep. of Materials Sci. and Engineering, Kyoto Univ., Kyoto 606-8501, JPN)
,
MORIYAMA Miki
(Optoelectronics Div., Toyoda Gosei Co., Ltd., Nakashima, Aichi 490-1312, JPN)
,
ITO Kazuhiro
(Dep. of Materials Sci. and Engineering, Kyoto Univ., Kyoto 606-8501, JPN)
,
TSUKIMOTO Susumu
(Dep. of Materials Sci. and Engineering, Kyoto Univ., Kyoto 606-8501, JPN)
,
MURAKAMI Masanori
(Dep. of Materials Sci. and Engineering, Kyoto Univ., Kyoto 606-8501, JPN)
資料名：
Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures
(Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures)
巻： 24 号： 1 ページ： 190-194 発行年： 2006年01月
JST資料番号： E0974A ISSN： 1071-1023 CODEN： JVTBD9 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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