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文献
J-GLOBAL ID：200902245244966866
整理番号：05A0646238
AlNバッファを有するHVPEにより成長した非極性a-面GaN膜の特性
Properties of nonpolar a-plane GaN films grown by HVPE with AlN buffers
PASKOVA T.
(Dep. of Physics and Measurement Technol., Linkoeping Univ., S-581 83 Linkoeping, SWE)
,
DARAKCHIEVA V.
(Dep. of Physics and Measurement Technol., Linkoeping Univ., S-581 83 Linkoeping, SWE)
,
PASKOV P.p.
(Dep. of Physics and Measurement Technol., Linkoeping Univ., S-581 83 Linkoeping, SWE)
,
BIRCH J.
(Dep. of Physics and Measurement Technol., Linkoeping Univ., S-581 83 Linkoeping, SWE)
,
VALCHEVA E.
(Fac. of Physics, Sofia Univ., 5, J.Bourchier blvd., 1164 Sofia, BGR)
,
PERSSON P.o.a.
(Dep. of Physics and Measurement Technol., Linkoeping Univ., S-581 83 Linkoeping, SWE)
,
ARNAUDOV B.
(Fac. of Physics, Sofia Univ., 5, J.Bourchier blvd., 1164 Sofia, BGR)
,
TUNGASMITTA S.
(Dep. of Physics and Measurement Technol., Linkoeping Univ., S-581 83 Linkoeping, SWE)
,
MONEMAR B.
(Dep. of Physics and Measurement Technol., Linkoeping Univ., S-581 83 Linkoeping, SWE)
資料名：
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻： 281 号： 1 ページ： 55-61 発行年： 2005年07月15日
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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