文献
J-GLOBAL ID:200902245275805518
整理番号:04A0879396
GaNにおける貫通転位付近の歪に誘起された深い電子状態
Strain Induced Deep Electronic States around Threading Dislocations in GaN
著者 (5件):
LYMPERAKIS L
(Univ. Paderborn, Paderborn, DEU)
,
NEUGEBAUER J
(Univ. Paderborn, Paderborn, DEU)
,
ALBRECHT M
(Univ. Erlangen-Nuernberg, Erlangen, DEU)
,
REMMELE T
(Univ. Erlangen-Nuernberg, Erlangen, DEU)
,
STRUNK H P
(Univ. Erlangen-Nuernberg, Erlangen, DEU)
資料名:
Physical Review Letters
(Physical Review Letters)
巻:
93
号:
19
ページ:
196401.1-196401.4
発行年:
2004年11月05日
JST資料番号:
H0070A
ISSN:
0031-9007
CODEN:
PRLTAO
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)