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文献
J-GLOBAL ID：200902245277074634
整理番号：05A0679766
分子線エピタキシャル法によってGaNの下地上に成長させた微細構造を持つN-極性のInN/InGaN多重量子井戸
Fine-structure N-polarity InN/InGaN multiple quantum wells grown on GaN underlayer by molecular-beam epitaxy
CHE Song-Bek
(Chiba Univ., Chiba, JPN)
,
TERASHIMA Wataru
(Chiba Univ., Chiba, JPN)
,
ISHITANI Yoshihiro
(Chiba Univ., Chiba, JPN)
,
YOSHIKAWA Akihiko
(Chiba Univ., Chiba, JPN)
,
MATSUDA Takeyoshi
(Furukawa Electric Co., Ltd., Yokohama, JPN)
,
ISHII Hirotatsu
(Furukawa Electric Co., Ltd., Yokohama, JPN)
,
YOSHIDA Seikoh
(Furukawa Electric Co., Ltd., Yokohama, JPN)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 86 号： 26 ページ： 261903.1-261903.3 発行年： 2005年06月27日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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