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文献
J-GLOBAL ID：200902245513004715
整理番号：04A0269709
走査型電子顕微鏡を用いたナノスケールでのアンドープGaAs領域内におけるポテンシャルマッピング
Mapping the potential within a nanoscale undoped GaAs region using a scanning electron microscope
KAESTNER B
(Univ. Cambridge, Cambridge, GBR)
,
SCHOENJAHN C
(Univ. Cambridge, Cambridge, GBR)
,
HUMPHREYS C J
(Univ. Cambridge, Cambridge, GBR)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 84 号： 12 ページ： 2109-2111 発行年： 2004年03月22日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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