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文献
J-GLOBAL ID：200902245695243213
整理番号：09A0125673
Ge凝縮法による高純度Ge-オン-絶縁体層の形成過程
Formation process of high-purity Ge-on-insulator layers by Ge-condensation technique
NAKAHARAI S.
(MIRAI-ASET, 16-1 Onogawa, Tsukuba 305-8569, JPN)
,
TEZUKA T.
(MIRAI-ASET, 1 Komukai-Toshiba-cho, Saiwai-ku, Kawasaki 212-8582, JPN)
,
HIRASHITA N.
(MIRAI-ASET, 1 Komukai-Toshiba-cho, Saiwai-ku, Kawasaki 212-8582, JPN)
,
TOYODA E.
(Covalent Materials, 6-864-5 Higashikou, Seirou-machi, Kitakanabra-gun, Niigata 957-0197, JPN)
,
MORIYAMA Y.
(MIRAI-ASET, 1 Komukai-Toshiba-cho, Saiwai-ku, Kawasaki 212-8582, JPN)
,
SUGIYAMA N.
(MIRAI-ASET, 1 Komukai-Toshiba-cho, Saiwai-ku, Kawasaki 212-8582, JPN)
,
TAKAGI S.
(MIRAI-AIST, 1-1-1 Higashi, Tsukuba 305-8569, JPN)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 105 号： 2 ページ： 024515 発行年： 2009年01月15日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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