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文献
J-GLOBAL ID：200902245970964473
整理番号：06A0421112
サブ50nmまでのチャネル長のPチャネルトンネル電界効果トランジスタ
P-Channel Tunnel Field-Effect Transistors down to Sub-50nm Channel Lengths
BHUWALKA Krishna K.
(Univ. Bundeswehr Munich, Neubiberg, DEU)
,
BORN Mathias
(Univ. Bundeswehr Munich, Neubiberg, DEU)
,
SCHINDLER Markus
(Univ. Bundeswehr Munich, Neubiberg, DEU)
,
SCHMIDT Matthias
(Univ. Bundeswehr Munich, Neubiberg, DEU)
,
SULIMA Torsten
(Univ. Bundeswehr Munich, Neubiberg, DEU)
,
EISELE Ignaz
(Univ. Bundeswehr Munich, Neubiberg, DEU)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 45 号： 4B ページ： 3106-3109 発行年： 2006年04月30日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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