文献
J-GLOBAL ID:200902246424370534
整理番号:05A0703612
高信頼性の250W-GaN高電子移動度トランジスタ電力増幅器
Highly Reliable 250 W GaN High Electron Mobility Transistor Power Amplifier
著者 (1件):
KIKKAWA Toshihide
(Fujitsu Lab. Ltd., Kanagawa, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻:
44
号:
7A
ページ:
4896-4901
発行年:
2005年07月15日
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)