文献
J-GLOBAL ID:200902246439457636
整理番号:05A0606416
自然リソグラフィーを用いた酸化インジウムすず(ITO)テクスチャ窓を持つGaN系発光ダイオード
GaN-based light-emitting diodes with indium tin oxide texturing window layers using natural lithography
著者 (6件):
HORNG R. H.
(National Chung Hsing Univ., Taichung, TWN)
,
YANG C. C.
(National Chung Hsing Univ., Taichung, TWN)
,
WU J. Y.
(National Chung Hsing Univ., Taichung, TWN)
,
HUANG S. H.
(National Chung Hsing Univ., Taichung, TWN)
,
LEE C. E.
(National Chung Hsing Univ., Taichung, TWN)
,
WUU D. S.
(National Chung Hsing Univ., Taichung, TWN)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
86
号:
22
ページ:
221101.1-221101.3
発行年:
2005年05月30日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)