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文献
J-GLOBAL ID：200902246466658546
整理番号：05A0807316
MOVPEによる高品質CdTeエピ層のSi(211)基板上への直接成長
Direct growth of high-quality CdTe epilayers on Si(211) substrates by metalorganic vapor-phase epitaxy
NIRAULA M.
(Graduate School of Engineering, Nagoya Inst. of Technol., Gokiso, Showa, Nagoya 466-8555, JPN)
,
YASUDA K.
(Graduate School of Engineering, Nagoya Inst. of Technol., Gokiso, Showa, Nagoya 466-8555, JPN)
,
OHNISHI H.
(Graduate School of Engineering, Nagoya Inst. of Technol., Gokiso, Showa, Nagoya 466-8555, JPN)
,
EGUCHI K.
(Graduate School of Engineering, Nagoya Inst. of Technol., Gokiso, Showa, Nagoya 466-8555, JPN)
,
TAKAHASHI H.
(Graduate School of Engineering, Nagoya Inst. of Technol., Gokiso, Showa, Nagoya 466-8555, JPN)
,
NODA K.
(Graduate School of Engineering, Nagoya Inst. of Technol., Gokiso, Showa, Nagoya 466-8555, JPN)
,
AGATA Y.
(Graduate School of Engineering, Nagoya Inst. of Technol., Gokiso, Showa, Nagoya 466-8555, JPN)
資料名：
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻： 284 号： 1-2 ページ： 15-19 発行年： 2005年10月15日
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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