文献
J-GLOBAL ID:200902246485649981
整理番号:04A0418877
絶縁体上の歪Si,SiGeおよびGe ウエハ・ボンディング製作技術の概説
Strained Si, SiGe, and Ge on-insulator: review of wafer bonding fabrication techniques
著者 (3件):
TARASCHI G
(Massachusetts Inst. of Technol., MA, USA)
,
PITERA A J
(Massachusetts Inst. of Technol., MA, USA)
,
FITZGERALD E A
(Massachusetts Inst. of Technol., MA, USA)
資料名:
Solid-State Electronics
(Solid-State Electronics)
巻:
48
号:
8
ページ:
1297-1305
発行年:
2004年08月
JST資料番号:
H0225A
ISSN:
0038-1101
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)