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文献
J-GLOBAL ID:200902246682101025   整理番号:06A0996614

MgOバッファを持ったサファイア上に分子ビームエピタクシーによって成長させたZnO薄膜の構造評価

Structural characterization of ZnO films grown by molecular beam epitaxy on sapphire with MgO buffer
著者 (6件):
PECZ B.
(Res. Inst. for Technical Physics and Materials Sci., Hungarian Acad. of Sciences, P.O. Box 49, H-1525 Budapest, HUN)
EL-SHAER A.
(Inst. of Semiconductor Technol., Technical Univ. Braunschweig, Hans-Sommer-Strasse 66, D-38106 Braunschweig, DEU)
BAKIN A.
(Inst. of Semiconductor Technol., Technical Univ. Braunschweig, Hans-Sommer-Strasse 66, D-38106 Braunschweig, DEU)
MOFOR A.-c.
(Inst. of Semiconductor Technol., Technical Univ. Braunschweig, Hans-Sommer-Strasse 66, D-38106 Braunschweig, DEU)
WAAG A.
(Inst. of Semiconductor Technol., Technical Univ. Braunschweig, Hans-Sommer-Strasse 66, D-38106 Braunschweig, DEU)
STOEMENOS J.
(Physics Dep., Aristotle Univ., Univ. Campus, 54006 Thessaloniki, GRC)

資料名:
Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)

巻: 100  号: 10  ページ: 103506-103506-7  発行年: 2006年11月15日 
JST資料番号: C0266A  ISSN: 0021-8979  CODEN: JAPIAU  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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