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文献
J-GLOBAL ID：200902246957090401
整理番号：05A0749239
AlGaN/GaN MODFETの低周波雑音:表面,障壁およびヘテロ界面効果の比較研究
Low frequency noise of AlGaN/GaN MODFETs: A comparative study of surface, barrier and heterointerface effects
VALIZADEH Pouya
(Solid-State Electronics Lab., Dep. of Electrical Engineering and Computer Sci., Univ. of Michigan, 2307 EECS ...)
,
PAVLIDIS Dimitris
(Solid-State Electronics Lab., Dep. of Electrical Engineering and Computer Sci., Univ. of Michigan, 2307 EECS ...)
,
PAVLIDIS Dimitris
(Dep. of High Frequency Electronics, Inst. of Microwave Engineering, Technische Universitaet Darmstadt, Merckstrasse ...)
,
SHIOJIMA Kenji
(NTT Photonics Laboratories, 3-1 Morinosato Wakamiya, Atsugi-shi, Kanagawa 243-0198, JPN)
,
MAKIMURA Takashi
(NTT Photonics Laboratories, 3-1 Morinosato Wakamiya, Atsugi-shi, Kanagawa 243-0198, JPN)
,
SHIGEKAWA Naoteru
(NTT Photonics Laboratories, 3-1 Morinosato Wakamiya, Atsugi-shi, Kanagawa 243-0198, JPN)
資料名：
Solid-State Electronics
(Solid-State Electronics)
巻： 49 号： 8 ページ： 1352-1360 発行年： 2005年08月
JST資料番号： H0225A ISSN： 0038-1101 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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