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文献
J-GLOBAL ID：200902247274572776
整理番号：04A0532374
Siフィンチャネル厚みを8.5nmにした高度しきい値電圧制御可能な4T FinFET
A Highly Threshold Voltage-Controllable 4T FinFET with an 8.5-nm-Thick Si-Fin Channel
LIU Y
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
,
MASAHARA M
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
,
ISHII K
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
,
SEKIGAWA T
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
,
TAKASHIMA H
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
,
YAMAUCHI H
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
,
SUZUKI E
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
資料名：
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻： 25 号： 7 ページ： 510-512 発行年： 2004年07月
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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