文献
J-GLOBAL ID:200902247391802952
整理番号:04A0305951
複数のフィールドプレートによって達成された高破壊電圧AlGaN-GaN HEMT
High Breakdown Voltage AlGaN-GaN HEMTs Achieved by Multiple Field Plates
著者 (6件):
XING H
(Univ. California, CA, USA)
,
DORA Y
(Univ. California, CA, USA)
,
CHINI A
(Univ. California, CA, USA)
,
HEIKMAN S
(Univ. California, CA, USA)
,
KELLER S
(Univ. California, CA, USA)
,
MISHRA U K
(Univ. California, CA, USA)
資料名:
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻:
25
号:
4
ページ:
161-163
発行年:
2004年04月
JST資料番号:
B0344B
ISSN:
0741-3106
CODEN:
EDLEDZ
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)