文献
J-GLOBAL ID:200902247572749719
整理番号:07A0681493
グラフェン・ナノリボン・トランジスターの固有電流-電圧特性と末端ドーピングの効果
Intrinsic Current-Voltage Characteristics of Graphene Nanoribbon Transistors and Effect of Edge Doping
著者 (9件):
YAN Qimin
(Tsinghua Univ., Beijing, CHN)
,
HUANG Bing
(Tsinghua Univ., Beijing, CHN)
,
YU Jie
(Tsinghua Univ., Beijing, CHN)
,
ZHENG Fawei
(Tsinghua Univ., Beijing, CHN)
,
ZANG Ji
(Univ. Utah, Utah)
,
WU Jian
(Tsinghua Univ., Beijing, CHN)
,
GU Bing-Lin
(Tsinghua Univ., Beijing, CHN)
,
LIU Feng
(Univ. Utah, Utah)
,
DUAN Wenhui
(Tsinghua Univ., Beijing, CHN)
資料名:
Nano Letters
(Nano Letters)
巻:
7
号:
6
ページ:
1469-1473
発行年:
2007年06月
JST資料番号:
W1332A
ISSN:
1530-6984
CODEN:
NALEFD
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)