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文献
J-GLOBAL ID:200902247579824414   整理番号:08A0548925

AlGaNのチャンネルを持つ高電子移動度トランジスタの初めての動作

First Operation of AlGaN Channel High Electron Mobility Transistors
著者 (9件):
NANJO Takuma
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
TAKEUCHI Misaichi
(RIKEN, Saitama, JPN)
TAKEUCHI Misaichi
(Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN)
SUITA Muneyoshi
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
ABE Yuji
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
OISHI Toshiyuki
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
TOKUDA Yasunori
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
AOYAGI Yoshinobu
(RIKEN, Saitama, JPN)
AOYAGI Yoshinobu
(Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN)

資料名:
Applied Physics Express  (Applied Physics Express)

巻:号:ページ: 011101.1-011101.3  発行年: 2008年01月25日 
JST資料番号: F0599C  ISSN: 1882-0778  CODEN: APEPC4  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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