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文献
J-GLOBAL ID：200902247579824414
整理番号：08A0548925
AlGaNのチャンネルを持つ高電子移動度トランジスタの初めての動作
First Operation of AlGaN Channel High Electron Mobility Transistors
NANJO Takuma
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
TAKEUCHI Misaichi
(RIKEN, Saitama, JPN)
,
TAKEUCHI Misaichi
(Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN)
,
SUITA Muneyoshi
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
ABE Yuji
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
OISHI Toshiyuki
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
TOKUDA Yasunori
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
AOYAGI Yoshinobu
(RIKEN, Saitama, JPN)
,
AOYAGI Yoshinobu
(Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN)
資料名：
Applied Physics Express
(Applied Physics Express)
巻： 1 号： 1 ページ： 011101.1-011101.3 発行年： 2008年01月25日
JST資料番号： F0599C ISSN： 1882-0778 CODEN： APEPC4 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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