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文献
J-GLOBAL ID：200902247583418943
整理番号：05A0067647
低電圧駆動の高密度強誘電体ランダムアクセスメモリに応用するための極薄強誘電体SrBi2Ta2O9膜とキャパシタスタックモジュールの集積
Integration of stacked capacitor module with ultra-thin ferroelectric SrBi2Ta2O9 film for high density ferroelectric random access memory applications at low voltage operation
MOERT M
(Infineon Technol. AG, Dresden, DEU)
,
MIKOLAJICK T
(Infineon Technol. AG, Dresden, DEU)
,
SCHINDLER G
(Infineon Technol. AG, Dresden, DEU)
,
NAGEL N
(Infineon Technol. AG, Dresden, DEU)
,
KASKO I
(Infineon Technol. AG, Dresden, DEU)
,
HARTNER W
(Infineon Technol. AG, Dresden, DEU)
,
DEHM C
(Infineon Technol. AG, Dresden, DEU)
,
KOHLSTEDT H
(Forschungszentrum Juelich, Juelich, DEU)
,
WASER R
(RWTH Univ. Aachen, Aachen, DEU)
資料名：
Thin Solid Films
(Thin Solid Films)
巻： 473 号： 2 ページ： 328-334 発行年： 2005年02月14日
JST資料番号： B0899A ISSN： 0040-6090 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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