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文献
J-GLOBAL ID：200902247629954713
整理番号：03A0777430
電子サイクロトロン共鳴で励起したクリプトン希釈酸素プラズマを使って作製した酸化けい素膜の成長のカイネティクスと電気的性質
Growth Kinetics and Electrical Properties of Ultrathin Si Oxide Film Fabricated Using Krypton-Diluted Oxygen Plasma Excited by Electron Cyclotron Resonance
WANG J
(Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
,
ZHAO L
(Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
,
LUU N H
(Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
,
MAKIYAMA K
(Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
,
WANG D
(Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
,
NAKASHIMA H
(Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 42 号： 10 ページ： 6496-6501 発行年： 2003年10月15日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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