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文献
J-GLOBAL ID：200902247878246249
整理番号：09A1237465
HfO2ゲート絶縁体を用いた常時オフモードGaNおよびAlGaN/GaN MOSFETの製造
Fabrication of normally-off mode GaN and AlGaN/GaN MOSFETs with HfO2 gate insulator
SUGIURA S.
(Dep. of Quantum Engineering, Nagoya Univ., Furo-cho, Chikusa-ku, Nagoya 464-8603, JPN)
,
HAYASHI Y.
(Dep. of Quantum Engineering, Nagoya Univ., Furo-cho, Chikusa-ku, Nagoya 464-8603, JPN)
,
KISHIMOTO S.
(Dep. of Quantum Engineering, Nagoya Univ., Furo-cho, Chikusa-ku, Nagoya 464-8603, JPN)
,
KISHIMOTO S.
(Venture Business Lab., Nagoya Univ., Furo-cho, Chikusa-ku, Nagoya 464-8603, JPN)
,
MIZUTANI T.
(Dep. of Quantum Engineering, Nagoya Univ., Furo-cho, Chikusa-ku, Nagoya 464-8603, JPN)
,
KURODA M.
(Semiconductor Device Res. Center Semiconductor Co. Panasonic Corp., 1 Kotari-Yakemachi, Nagaokakyou 617-8520, JPN)
,
UEDA T.
(Semiconductor Device Res. Center Semiconductor Co. Panasonic Corp., 1 Kotari-Yakemachi, Nagaokakyou 617-8520, JPN)
,
TANAKA T.
(Semiconductor Device Res. Center Semiconductor Co. Panasonic Corp., 1 Kotari-Yakemachi, Nagaokakyou 617-8520, JPN)
資料名：
Solid-State Electronics
(Solid-State Electronics)
巻： 54 号： 1 ページ： 79-83 発行年： 2010年01月
JST資料番号： H0225A ISSN： 0038-1101 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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