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文献
J-GLOBAL ID：200902247929388841
整理番号：06A0921561
NiGeのSchottky型ソース/ドレインを備えた多結晶-Geを基本とする薄膜トランジスタの低温(<500°C)形成
Low-temperature formation (<500 °C) of poly-Ge thin-film transistor with NiGe Schottky source/drain
SADOH T.
(Dep. of Electronics, Kyushu Univ., 744 Motooka, Fukuoka 819-0395, JPN)
,
KAMIZURU H.
(Dep. of Electronics, Kyushu Univ., 744 Motooka, Fukuoka 819-0395, JPN)
,
KENJO A.
(Dep. of Electronics, Kyushu Univ., 744 Motooka, Fukuoka 819-0395, JPN)
,
MIYAO M.
(Dep. of Electronics, Kyushu Univ., 744 Motooka, Fukuoka 819-0395, JPN)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 89 号： 19 ページ： 192114-192114-3 発行年： 2006年11月06日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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