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文献
J-GLOBAL ID：200902248181198021
整理番号：05A0955998
(110)配向UTB SOI pMOSFETの優れた移動度に関する実験的検討
Experimental Study on Superior Mobility in (110)-Oriented UTB SOI pMOSFETs
TSUTSUI Gen
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
SAITOH Masumi
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
HIRAMOTO Toshiro
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名：
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻： 26 号： 11 ページ： 836-838 発行年： 2005年11月
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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