文献
J-GLOBAL ID:200902248395370832
整理番号:09A0136483
オフ状態低漏洩スイッチにおける四端子MOSFETに対する漏洩電流の解析とモデル化
Analysis and Modeling of Leakage Current for Four-Terminal MOSFET in Off-State and Low Leakage Switches
著者 (3件):
TAKAKUBO Kawori
(Meiji Univ., Kawasaki-shi, JPN)
,
ETO Toru
(Meiji Univ., Kawasaki-shi, JPN)
,
TAKAKUBO Hajime
(Chuo Univ., Tokyo, JPN)
資料名:
IEICE Transactions on Fundamentals of Electronics, Communications and Computer Sciences (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers)
(IEICE Transactions on Fundamentals of Electronics, Communications and Computer Sciences (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻:
E92-A
号:
2
ページ:
421-429
発行年:
2009年02月01日
JST資料番号:
F0699C
ISSN:
0916-8508
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)