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文献
J-GLOBAL ID：200902248500566276
整理番号：06A0156611
シリコンナノワイア金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタを用いた可変障壁を有する単一電子トンネル・トランジスタ
Single electron tunneling transistor with tunable barriers using silicon nanowire metal-oxide-semiconductor field-effect transistor
FUJIWARA Akira
(NTT Basic Res. Laboratories, NTT Corp., 3-1 Morinosato Wakamiya, Atsugi, Kanagawa 243-0198, JPN)
,
INOKAWA Hiroshi
(NTT Basic Res. Laboratories, NTT Corp., 3-1 Morinosato Wakamiya, Atsugi, Kanagawa 243-0198, JPN)
,
YAMAZAKI Kenji
(NTT Basic Res. Laboratories, NTT Corp., 3-1 Morinosato Wakamiya, Atsugi, Kanagawa 243-0198, JPN)
,
NAMATSU Hideo
(NTT Basic Res. Laboratories, NTT Corp., 3-1 Morinosato Wakamiya, Atsugi, Kanagawa 243-0198, JPN)
,
TAKAHASHI Yasuo
(NTT Basic Res. Laboratories, NTT Corp., 3-1 Morinosato Wakamiya, Atsugi, Kanagawa 243-0198, JPN)
,
ZIMMERMAN Neil M.
(National Inst. of Standards and Technol. (NIST), 100 Bureau Drive, Gaithersburg, Maryland 20899)
,
MARTIN Stuart B.
(National Inst. of Standards and Technol. (NIST), 100 Bureau Drive, Gaithersburg, Maryland 20899)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 88 号： 5 ページ： 053121-053121-3 発行年： 2006年01月30日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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