文献
J-GLOBAL ID:200902248669709122
整理番号:05A0763880
HfO2バッファ層を有する強誘電体ゲート電界効果トランジスタにおける30日間データの保持
Thirty-Day-Long Data Retention in Ferroelectric-Gate Field-Effect Transistors with HfO2 Buffer Layers
著者 (4件):
TAKAHASHI Kazuhiro
(Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
,
AIZAWA Koji
(Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
,
PARK Byung-Eun
(Univ. Seoul, Seoul, KOR)
,
ISHIWARA Hiroshi
(Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻:
44
号:
8
ページ:
6218-6220
発行年:
2005年08月15日
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)