文献
J-GLOBAL ID:200902248803584978
整理番号:07A0739440
高アスペクト比トレンチ充填によって製作した200V超接合MOSFET
200V Super Junction MOSFET Fabricated by High Aspect Ratio Trench Filling
著者 (6件):
YAMAUCHI Shoichi
(DENSO CORP., Aichi, JPN)
,
SHIBATA Takumi
(DENSO CORP., Aichi, JPN)
,
NOGAMI Shoji
(SUMCO CORP., Saga, JPN)
,
YAMAOKA Tomonori
(SUMCO CORP., Saga, JPN)
,
HATTORI Yoshiyuki
(TOYOTA CENTRAL R&D LABS., INC., Aichi, JPN)
,
YAMAGUCHI Hitoshi
(DENSO CORP., Aichi, JPN)
資料名:
Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs
(Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs)
巻:
18th
ページ:
65-68
発行年:
2006年
JST資料番号:
W1300A
ISSN:
1943-653X
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)